MgAuSn bileşiğinin elektronik yapısının ve titreşim özelliklerinin yoğunluk fonksiyon teorisi ile incelenmesi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2006
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: NİHAT ARIKAN
Danışman: GÖKAY UĞUR
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Lineer tepki yaklaşımında, pseudo-potansiyel metot ve yerel yoğunlukyaklaşımı kullanılarak MgAuSn' nin kübik AlLiSi fazında yapısal ve elektroniközelliklerini hesapladık. Bu materyalin örgü sabiti 6.39 Ã bulundu ve bu değerdeneysel değer olan 6.41 Ã ile uyum içindedir.Örgü sabitinin yanında, kübik AlLiSi fazındaki MgAuSn' nin bulk modülü vebulk modülünün basınç türevi verildi. Bu materyalin elektronik bant yapısıyüksek simetri yönleri boyunca hesaplandı. Bizim hesaplamalarımızdaelektronik bant yapısı son zamanlarda hesaplanan TB-LMTO sonuçlarıylakarşılaştırıldı. Bu bileşik için yapısal ve elektronik özellikleri deneysel ve teorikolarak çalışılmasına rağmen, fononları henüz deneysel yada teorik olarakçalışılmamıştır. Bununla birlikte, titreşim özellikleri özgül sıcaklık, termalgenleşme, ısı iletimi ve elektron-fonon etkileşmesi için çok önemlidir. BöyleceMgAuSn' nin durum yoğunluğu ve fonon dispersiyon eğrileri hesaplanmasındalineer tepki teorisi kullanıldı. Bölge merkezi fonon modlarının frekansları 143cm-1 ve 213 cm-1 olarak bulundu. Î, X ve L simetri noktalarında seçilmiş fononmodlarının atomik yerdeğiştirme desenleri gösterildi. Bu yerdeğiştirmedesenlerinden, Mg ve Au (veya Sn) arasındaki büyük kütle farkı yüzünden Mgatomlarının titreşimi en yüksek optik fonon modunu oluşturduğu gözlendi.