LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-tipi GaSb yarı iletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2004

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: BİRGÜL YASEMİN IŞIK

Danışman: MEHMET KASAP

Özet:

LEC TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLEN Te KATKILI n-TIPI GaSb YARIİLETKENİNDE SICAKLIK BAĞIMLI MANYETİK VE ELEKTRON İLETİM ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Birgül Yasemin IŞIK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Aralık 2004 ÖZET LEC tekniği ile büyütülen n-tipi Te katkılı GaSb numunesinde, manyetik alan bağımlı özdircnç ve Hail etkisi ölçümleri 35 - 350K sıcaklık aralığında yapıldı. Sıcaklık bağımlı özdirenç ölçümleri kuvvet modeli kullanılarak analiz edildi. Manyetik özdirenç ölçümleri klasik manyetik özdirenç modeli ile analiz edildi ve bireysel taşıyıcıların manyetik özdirenç katsayısına etkileri araştırıldı. Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hail ölçümleri 'nicel mobilite spektrum analiz' (QMSA) tekniği ile analiz edildi. Sıcaklık bağımlı bireysel bant parametreleri (\ır, \iu Hağır deşik» Hhafif deşik» nr, nL, pağır deşik ve phafif deşik), Eg ve r ve L vadileri arasındaki enerji farkı hesaplandı. Bilim Kodu : 404.03.01 Anahtar Kelimeler : GaSb, Hall Mobilitesi, QMSA, elektron iletimi, manyetik özdirenç Sayfa Adedi : 78 Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP