Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2012
Öğrenci: ELİF YAZBAHAR
Danışman: MEHMET KASAP
Özet:Bu çalışmada MBE kristal büyütme yöntemi ile büyütülen 3 adet n-tipi InxGa1- xAs/InP (x=0.42, 0.43, 0.44) ve 1 adet n-tipi InxGa1-xAs/GaAs (x=0.20) numuneleri için Hall ölçümleri ve iletkenlik analizleri gerçekleştirildi. İletkenlik, Hall mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 15-300K sıcaklık aralığında, 0.4T magnetik alan altında ölçüldü. x=0.42, 0.43 ve 0.44 değerlerine sahip numunelerin elektron iletim özlelikleri; elektron elektron etkileşmeleri ve zayıf lokalizasyon etkilerini içeren metalik modelle açıklandı. Ayrıca elektron hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmaları belirlendi. x=0.20 değerli numune için ise elektron iletim özellikleri, Boltzmann eşitliğinin tekrarlanan çözümü (ISBE) kullanılarak iki band modeli ile analiz edildi. Teori ve sonuçlar arasında iyi bir uyum gözlemlendi.