SİLİSYUM NANOTELLERİN ALD YÖNTEMİ KULLANILARAK AZO KAPLANMASI VE KARAKTERİZESİ


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2020

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: İSMAİL KUPA

Danışman: HAKAN ATEŞ

Özet:

Son yıllarda orta kızılötesi (MIR) plazmonikler üzerine, alternatif malzemeler kullanılarak yoğun çalışmalar yapılmıştır. Alüminyum katkılı çinko oksit (AZO) gibi metal oksitler bu ailenin en bilinen üyelerinden biridir. Bununla birlikte, AZO' nun kendisi büyük kırılma indisi değerleri nedeniyle orta kızılötesi aralığında baskın olarak yansıtıcı davranış gösterir. Bu çalışmada, AZO - silikon (Si) çekirdek-kabuk mimarisine dayanan, Si konakçısının gelen dalgayı hapsederken, AZO kabuk katmanın gelen dalgayı emdiği hibrit bir tasarım öneriyoruz. Bu mükemmel tasarımı yapmamızdaki amacımız, 2 μm ila 20 μm arasında bir aralıkta ultra geniş bant yansıma önleyici davranış (R<0,1) elde edilebilir olduğunu göstermektir. Önerilen tasarım, radyal soğutma, optik izolasyon ve Si / Ge optik gibi çeşitli uygulamalarda kullanılabilir. Bu amaçla bu çalışmada litografi kullanılmadan nanoteller üretilmiştir. Bu yapıların üzerine ALD yöntemi kullanılarak özgün AZO katman yapısı oluşturulmuştur. Elde edilen AZO katmanı simülasyonlar ile geniş bandda emici özelliği olduğu gösterilmiştir