Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2021
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Ayşegül EROĞLU
Danışman: MEHMET KASAP
Özet:Au/(MgO-PVP)/n-Si Schottky diyotlar ⟨100⟩ yönelimli ve 350 μm kalınlıklı tabaka üzerine, elektriksel parametreleri ve iletim mekanizmaları hakkında araştırma yapmak amacıyla büyütüldü. Dielektrik ve elektrik parametreler -2-3 Volt gerilim ve 10 kHz-5 MHz frekans aralığında empedans spektroskopi yöntemiyle incelendi. Ardından idealite faktörü, bariyer yüksekliği, seri direnç gibi elektriksel parametreler, akım voltaj ölçümleri kullanılarak Termiyonik emisyon teorisinden, Cheung ve Norde fonksiyonlarından bulundu ve bulunan sonuçlar karşılaştırıldı. Yapının arayüzey tuzakları ve durumlarının enerjiye bağlı dağılımı, yine I-V ileri beslem verilerinden n ve FB dikkate alınarak çıkarıldı. Hem kapasitans hem de iletkenlik değerleri inversiyon, deplesyon ve akümülasyon bölgelerinde arayüzey durumları ve tuzaklar, seri direnç ve organik (MgO-PVP) arayüzey nedeniyle geniş bir dağılıma sahiptir. Bunlar arasında Nss ve polarizasyon düşük frekanslarda inversiyon ve deplesyon bölgelerinde etkindir fakat Rs yüksek frekanslarda akümülasyon bölgesinde etkilidir. Difüzyon potansiyeli (VD), Fermi enerjisi (EF), tükenme bölgesi genişliği gibi bazı temel elektriksel parametreler (WD) ve bariyer yüksekliği (ΦB) gibi bazı temel elektriksel parametreler, frekansın fonksiyonu olarak C-2-V eğrilerinin lineer bölgesindeki eğimi ve kesme noktası değerlendirilerek hesaplandı. Ek olarak kompleks dielektrik sabiti, kompleks modülüsün gerçek ve sanal kısımları, ac iletkenlik frekans ve gerilimin fonksiyonu olarak C ve G/w verilerinden bulunmuştur. MgO-PVP ara katmanı dielektrik sabiti 10 kHz de 5,0 olarak bulunmuştur ki bu geleneksel yalıtkan katmana göre çok yüksektir. SiO2 gibi geleneksel yalıtkanlara göre kolay büyütme süreci, düşük maliyet, esneklik, yüksek dayanıklılık gibi avantajları da bulunmaktadır. Bu sonuçlar kullanılan (MgO-PVP) polimer ara tabakanın MOS ve MPS tip kapasitörlere kıyasla daha büyük kutuplanma ve daha fazla depolanma sağladığını göstermektedir