Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2018
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Hasan Celal Dervişoğlu
Danışman: MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK
Özet:Sputtering sistemi ile Ge alltaş üzerine 500 nm olarak büyütülmüş Si, Ti, Au ve ZnO epitaksiyel tabakaların rastgele dağılmış diskolasyonların bulunduğu X-ışını difraksiyon profillerinin pik çizgi şekli analiz edildi. Pik noktasının en yoğun kısmında pik davranışı Gauss fonksiyonuna uygundur. Fakat, XRD pikin sağ ve sol iki kuyruğu q-3 güç yasasına uymaktadır. Rastgele diskolasyonlar için tipik olan q-3 bozunumu açık dedektör ile omega XRD eğrilerinde gözlenir. Tüm profil, sınırlı bir rastgele diskolasyon dağılımı ile iyi bir şekilde fit edildi. Hem yaklaşık 1010 cm-2 mertebesinde kenar diskolasyonlarının yoğunlukları ve hemde yaklaşık 103 nm korelasyon uzunlukları elde edilir. Dislokasyon ve koreleasyon hesapları için Kragner in metodun da bulunan yarı deneysel denklemler kullanılmıştır. İyi bir fit için fit iterasyon adımı ortalama 9,0x106 mertebesinde alınmıştır.