SILAR yöntemiyle üretilen Cd katkılı ZnO ince filmlerin elektriksel özelliklerinin incelenmesi


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2022

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: BUKET TURAN

Danışman: Şükrü Çavdar

Özet:

Bu çalışmada ZnO solüsyonuna kütlece %5 ve %10 oranında Cd katkı yapılarak, cam üzerinde SILAR yöntemi ile katkısız ve katkılı ince filmler üretildi. Üretilen ince filmlerin x ışını kırınım cihazı ve taramalı elektron mikroskobu ile yapısal karakterizasyonu yapıldı. İnce filmlerin oda sıcaklığında, 3 kHz-1,5 MHz frekans aralığında, 0-5 V arası 1 V aralıklarla kapasitans (C-f) ve iletkenlik (G-f) ölçümleri alındı. Bu değerler kullanılarak empedans (Z), empedansın reel (Z'), imajiner kısımları (Z") ve seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Elde edilen sonuçlarda, katkı oranı arttıkça kapasitans ve iletkenlik değerlerinin arttığı; Z, Z' ve Z" değerlerinin ise katkı oranı arttıkça artarken, artan frekans ile azaldığı bulundu. Rs değerlerinin hem katkı oranına hem de artan frekansa bağlı olarak azaldığı görüldü.

Anahtar Kelimeler : Yarıiletken, ZnO, Kadmiyum, Empedans