Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2019
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Mehmet Taha Haliloğlu
Danışman: SEFER BORA LİŞESİVDİN
Özet:Yarıiletken teknolojisinde transistörler önemli bir yere sahiptir. Transistörler temel olarak üç bileşenden oluşmaktadır. Bu yapılar kaynak, akaç ve kapı metallerinin bir yarıiletken üzerinde konumlandırılarak elektriksel iletimi sağlamaktadır. Bu yapılar sayesinde yüksek güç, yüksek frekans ve hızlı anahtarlama işlemleri yapılabilmektedir. Günümüzde farklı ihtiyaçlara göre transistör veya monolitik mikrodalga entegre devreleri (ing.MMIC) tasarlanıp üretilmektedir. Farklı amaçlar için üretilen bu aygıtların performansını artırmak adına çeşitli yöntemler geliştirilmiştir. Bu yöntemlerden biri de geçiş deliği uygulamasıdır. Yarıiletken aygıt üretiminin arka yüz işlemleri olarak adlandırılan bölümünde malzeme aşındırılarak ön yüzdeki aygıt metalleri ile kontak ettirilmesi için kuyu açılması işlemine geçiş deliği denmektedir. Bu yöntem ile alttaş 100 μm'ye inceltilerek arka yüzeyden, ön yüzde bulunan kaynak metaline kontak sağlanır. Bu kontak sayesinde kaynak metali alttaşın tabanından topraklanmış olur. Elektriksel olarak kaynak metalinin indüktansının azaltılması hedeflenerek bu yöntem geliştirilmiştir. Geçiş deliği işlemi elmastan sonra en sert malzeme olarak bilinen silikon karbür (SiC) malzemesi üzerinde yapılmıştır. Bu çalışmada indüklenmiş elektron çiftli plazma reaktif iyon aşındırma (ICP RIE) sistemi kullanılarak SiC malzemesinin flor tabanlı kuru aşındırma yöntemi ile geçiş deliği işleminin iyileştirilmesi ve aşındırma mekanizması rapor edilmiştir. Geçiş deliği aşındırma işlemine kadar gelen süreç anlatılarak, arka yüz işlemleri ele alınmıştır. Aşındırma işleminin sonuçlarını analiz etmek için SEM sistemi kullanılmıştır. DC ölçümler ile geçiş deliği yapılarının dirençleri analiz edilmiştir.