Al katkılı n-ZnO/p-Si heterojonksiyon foto diyotun ışığa duyarlılık performansının incelenmesi


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2018

Öğrenci: ÖMER FARUK GÖKTAŞ

Danışman: ORHAN KAPLAN

Özet:

Al-katkılı ZnO (AZO)/p-Si heterojonksiyon fotodiyot sol jel spin kaplama yöntemiyle p Si alttaşı üzerine AZO filmlerinin depozisyonu ile üretildi. ZnO tabakasının üç farklı kalınlık değeri için üretilen cihazların diyot, fotodiyot ve fotovoltaik parametreleri araştırıldı. Elde edilen üç farklı kalınlıktaki (AZO 2, AZO 4, AZO 6) ince filmlerin yapısal, yüzeysel ve optik özellikleri araştırıldı. X-ışını difraksiyon (XRD) desenlerinden, üretilen ZnO ince filmlerin hegzagonal yapıda olduğu tespit edildi. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ölçümleri üretilen üç farklı kalınlıktaki ince filmin yüzeylerinin düzgün ve homojen bir dağılıma sahip olduğu görüldü. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ölçümleri ile ince filmlerin kalınlıkları tespit edildi. İnce filmlerin karanlık ve AM 1.5 standart test şartları altında elde edilen akım-gerilim karakteristiklerinden ışığa duyarlılık (PS) ve doğrultma oranları (RR) hesaplandı. Elde edilen sonuçlardan üretilen ince filmlerin diyot, fotodiyot ve fotovoltaik cihaz olarak çalışması için ZnO tabakasının optimum kalınlıkları tespit edildi. Sonuç olarak AZO 2/Si cihazının, AZO 4/Si ve AZO 6/Si cihazlarına göre nispeten daha iyi sonuçlar verdiği görüldü.