Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2023
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Hacer ÇELEBİ
Danışman: Bülent Kutlu
Özet:
Bu tezde yarı iletken teknolojisinde kullanılan en yaygın yüzey olan Si(001) yüzeyi için geçerli Ising hamiltonyeni oluşturularak, (4x2) ↔ (2x1) yüzey faz geçişini modellenmektedir. Bu nedenle, ilk olarak Si(001) yüzeyinin (4x2), (2x2), (2x1) ve (4x1) yüzey yapılanmaları ilk-prensip hesaplamalar kullanılarak optimize edildi ve yüzey enerjileri hesaplandı. Elde edilen yüzey enerjileri kullanılarak yüzey için önerilen revize edilmiş Ising hamiltonyendeki etkileşim parametreleri belirlendi. Son olarak elde edilen revize edilmiş yeni Ising hamiltonyen için oluşturulan CA algoritması kullanılarak (4x2) ↔ (2x1) yüzey faz geçişi benzetimleri yapıldı. Hesaplanan faz geçiş sıcaklığı deneysel sonuç TC=200 K ile iyi bir uyum içindedir.
Anahtar Kelimeler : Faz Geçişi, yüzey, Silisyum, Cellular Automaton, kritik sıcaklık, yarı iletken