AlxGa1-xN yarı iletken alaşımının enerji-bant hesaplamaları
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, -, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2007
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: AYTEN KAYA
Danışman: BÜLENT KUTLU
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:AlxGa1-xN YARIİLETKEN ALAŞIMININ ENERJİ-BANTHESAPLAMALARI(Yüksek Lisans Tezi)Ayten KAYAGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜŞubat 2007ÖZETBu çalışmada zinc-blende yapıdaki AlxGa1-xN alaşımının fiziksel özelliklerinin Alkonsantrasyonuna bağlı değişimi Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (DFT) ile belirlenmiştir.Elektronların değiştokuş-korelasyon enerjileri ultrasoft sözde potansiyel ile GGA-PBEfonksiyoneli kullanılarak tanımlanmıştır. Yapılan ön çalışmalar hesaplamalar içinuygun kesilim enerjisinin GaN için 330 eV ve AlN için 280 eV olduğunu göstermektedir.Hesaplamalar 2x2x1 süper örgü AlxGa1-xN alaşımını için 350 eV kesilim enerjisindeyapılmıştır. Her bir konsantrasyon için enerji-bant ve durum yoğunluğu hesaplamalarıyapılmış, yasak enerji aralığının konsantrasyona bağlı değişimini karakterize edenbowing (b) parametresi doğrudan bant geçişinde b(ÎÎ) 0,1eV , dolaylı bant geçişindeb(ÎX) değeri -0,04 eV bulunmuştur. CASTEP ile elde edilen bowing parametre değerleridiğer hesaplama değerleriyle uygunluk göstermektedir.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : YFT, AlxGa1-xN, yasak enerji aralığıSayfa Adedi : 52Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Bülent KUTLU