Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2018
Öğrenci: GÖKHAN ATMACA
Danışman: SEFER BORA LİŞESİVDİN
Özet:AlGaN/GaN çokluyapılan günümüz modem elektroniği için yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık uygulama alanlarında yaygın bir kullanım alanı bulmaktadır. Bu yaygın kullanım alanına rağmen AlGaN/GaN çokluyapılara dayanan elektronik aygıtlar işleyişleri sırasında bazı problemlere de sahiptir. Bu problemlerden biri akım-gerilim karakteristiklerinde görülen akım çöküşüdür. Çokluyapı yüzeyindeki yüzey durumlarında tuzaklanan elektronların neden olduğu akım çöküşünü önlemek için uzun yıllardır yüzeyde bir Si3N4 yüzey pasivasyonu katmam kullanılır. Bu katman sayesinde yüzey durumlarında azalma sağlanarak tuzaklanan elektron sayısı indirgenir ve akım çöküşü belirli oranda hafifletilir. Yüksek güç ve yüksek frekans elektronik aygıtlarında yaygın olarak kullanılan bu yöntemin ardındaki mekanizmaların daha iyi anlaşılmasında düşük alan ve sıcak-elektron iletim incelemeleri önemli bir rol oynayabilir. Bu tez çalışmasında, AlGaN/GaN çokluyapılarda Si3N4 yüzey pasivasyonunun iki boyutlu elekton gazı üzerine etkisi farklı numune gruplarının sıcaklığa bağlı Hail etkisi ve sıcak-elektron dinamiği ölçümleri sayesinde deneysel olarak incelenmiştir. Düşük alan iletimi incelemelerinde yüzey pasivasyon katmanının taşıyıcı yoğunluğunu artırmasıyla arayüzey bozukluğu saçılma mekanizmasının hareketlilik üzerindeki etkisini artırdığı bulunmuştur. Sıcak-elektron dinamiği ölçümleri ile yapılan analizlerde AlGaN/GaN çokluyapılarda sürüklenme hızı- elektrik alan karakteristiklerinde negatif diferansiyel direnç olgusunun deneysel gözlemi ilk kez başarılmıştır.