Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2015
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Halil Mert Baran
Danışman: ADEM TATAROĞLU
Özet:Bu çalışmada, Au/SnO2/n-Si (MOS) kapasitörün elektriksel özellikleri üzerine gama radyasyonun etkileri araştırıldı. MOS kapasitörün gama radyasyonundan önce ve sonra kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ω-V) ölçümleri, sırasıyla 1 kHz - 1 MHz frekans ve 0-100 kGy radyasyon doz aralığında gerçekleştirildi. Deneysel sonuçlar kapasitörün kapasitans ve iletkenlik değerlerinin artan frekans ve radyasyon dozu ile azaldığını gösterdi. Ayrıca, arayüzey durumları (Nss) ve seri direnç (Rs) değerleri bu ölçümler kullanılarak belirlendi. Seri direnç değerleri, radyasyonun oluşturduğu tuzak yüklerinin sonucu olarak artan radyasyon dozu ile artmaktadır. Arayüzey durumlarının değeri oksit-yarıiletken arayüzeyindeki rekombinasyon merkezlerinin sayısındaki azalma nedeniyle artan radyasyon dozu ile azalmaktadır. Elde edilen sonuçlar MOS kapasitörün elektriksel özelliklerinin gama radyasyonuna bağlı olduğunu göstermiştir.