Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2022
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Sevgi BİLGEN
Danışman: Bülent Bostan
Özet:
Şekil hafızalı alaşımlar deforme edildikten sonra ısıl işlem ya da mekanik işlemler ile tersinir katı hal faz dönüşümü gerçekleştirerek, önceki şekline ve boyutuna geri dönebilen malzemelerdir. Şekil hafızalı alaşımlardan NiTi alaşımları, gösterdiği sekil hafıza ve süperelastiklik özelliklerinden dolayı; tıp (ortodonti, kardiyovasküler stent vb.) ve diğer mühendislik alanlarındaki (havacılık, uçak, otomotiv vb.) çeşitli uygulamalarda kullanılarak, büyük ilgi görmüştür. NiTi alaşımları ilgi çeken bu özelliklerini, martenzitik faz dönüşümleri nedeni ile gerçekleştirebilmektedir. Martenzitik faz dönüşümlerinin kinetikleri ısıl işlem ve/veya yaşlandırma işlemi ile değiştirilebilmektedir. Yürütülen tez çalışmasının amacı; NiTi alaşımlarında faz dönüşüm mekanizmalarını, difüzyonsuz çok aşamalı martenzitik dönüşümleri ve uygulanan ısıl işlem ve/veya yaşlandırma ile oluşan Nikel bakımından zengin çökeltileri incelemek, çökelme prosedürlerini ve kritik dönüşüm sıcaklıklarını belirlemektir. Bu amaçla; yürütülen deney çalışmalarında %54,1 Ni-Ti (% ağırlıkça) nominal bileşimine sahip şekil hafızalı tele, çözündürme işleminin ardından 400, 450 ve 500 ℃ sıcaklıklarında 4, 8 ve 12 saat süre ile yaşlandırma işlemi yapılmıştır. Yaşlandırılan deney numunelerine yapılan çeşitli karakterizasyon işlemleriyle nikelce zengin Ti3Ni4 çökeltileri ve hacimsel fraksiyonları araştırılmıştır. 450 ℃ sıcaklıkta yaşlandırılan deney numunelerinde, Ti3Ni4 çökeltileri yoğun olarak gözlemlenmiş, bu çökeltilerin, yapılan DSC analizleri ile çok aşamalı martenzitik dönüşüme neden oldukları belirlenmiştir. Böylece NiTi alaşımlarına yapılan çeşitli yaşlandırma sıcaklıkları ve sürelerinde mikro yapıların dönüşüm karakteristikleri ve şekil hafıza özellikleri yürütülen çalışmada araştırılmıştır.
Anahtar Kelimeler : NiTi, martenzitik dönüşüm, DSC, yaşlandırma, SEM, TEM |