LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2005

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ÜMİT YURDUGÜL

Danışman: MEHMET KASAP

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

LEC TEKN Ğ LE BÜYÜTÜLEN Te KATKILI n-T P InSbÖZELL KLER(Yüksek Lisans Tezi)Ümit YURDUGÜLGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜAralık 2005ÖZETLEC tekniği ile büyütülen n-tipi Te katkılı InSb numunesinde, manyetik alanbağımlı özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 14-350K sıcaklık aralığında ve 0-1.35Tmanyetik alan aralığında yapıldı. Ölçüm sonuçları geleneksel ve `nicel mobilitespektrum analiz' (QMSA) teknikleri kullanılarak analiz edildi. Analizsonuçlarından; LEC kristal büyütme tekniğinden ve Te katkısındankaynaklanan safsızlık seviyelerinin, manyeto ve elektron iletim özelliklerineşiddetli bir etkisi olduğu bulundu. Sıcaklık bağımlı manyetoözdirenç katsayısıdüşen sıcaklıkla iki minimum sergileyerek bir artış göstermektedir. Buminimumların iki tip safsızlıkla ilgili olduğu bulundu.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : InSb, Hall Mobilitesi, QMSA, Elektron letimi, ManyetikÖzdirençSayfa Adedi : 77Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP