GaAs ve InP yarıiletkenlerde elektriksel karakterizasyon
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2003
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: SELİM ACAR
Danışman: MEHMET KASAP
Özet:GaAs VE InP YARIİLETKENLERDE ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYON (DoktoraTezi) Selim ACAR GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Temmuz 2003 ÖZET LEC tekniği ile büyütülmüş demir katkılı GaAs ve InP ve katkısız GaAs yarıiletkenlerinde sıcaklığa bağlı iletkenlik, Hali etkisi ve manyeto direnç ölçümleri 300-420K aralığında yapıldı. Deneysel sonuçlar tüm numunelerde SI özelliğin var olduğunu gösterdi. Katkılı ve katkısız GaAs'ta SI özelliklere neden olan EL2 derin safsızhk seviyesinin enerjisi 0,77 eV olarak bulundu. Demir katkılı InP'ta SI özelliğinden sorumlu demir safsızlığımn bağlanma enerjisi 0,65 eV olarak bulundu. Göz önüne alman yarıiletken kristallerde geometrik manyetik direnç mobilitesinin Hail mobilitesine oranının 1,2'den büyük olması tüm numunelerde karma iletimin var olduğunu gösterdi. Deneysel sonuçlar iletkenliğe hem iletkenlik hem de valans bandlanndan gelen katkıları ihtiva eden karma iletkenlik modeliyle analiz edildi. Deney ve teori arasında iyi bir uyum elde edildi. Her bir numune için bireysel band parametreleri ayrı ayrı hesaplandı. Analizlerden elde edilen bireysel band taşıyıcı yoğunluklarının kullanılması ile katkısız GaAs için derin verici yoğunluğu 10,3m"3 ve katkılı GaAs için 10,5m"3 mertebesinde olduğu bulundu. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : Hail etkisi, manyetik direnç ve van der Pauw Sayfa Adedi : 98 Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP