Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2016
Öğrenci: ECE KUTLU
Danışman: SEFER BORA LİŞESİVDİN
Özet:Bu çalışmada, saf, Al, Ga, In ve As safsızlığı içeren Si3N4 kristalinin elektronik ve optik özellikleri, yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) ile yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) kullanan hesaplamalar ile yapılmıştır. Hesaplamalarda hekzagonal yapıda olan Si3N4 kristal yapısı kullanılmıştır. Safsızlık atomları için kararlı durumlar ilgili yapıların oluşum enerjisi ve ilgili atomların bağlanma enerjisi kullanılarak belirlenmiştir. Saf ve safsızlık içeren kristal yapıların elektronik bant yapıları ve durum yoğunlukları gibi temel elektronik özellikleri belirlenmiştir. Elektronik özellik hesaplarına ek olarak, kararlı safsızlık durumları için foton enerjisine bağlı dielektrik fonksiyonun reel ve sanal kısımları kullanılarak statik dielektrik katsayısı, foton enerjisine bağlı kırılma indisi, sönüm katsayısı, soğurma katsayısı ve yansıma katsayısı gibi optik özellikler incelenmiştir. -Si3N4 kristalinin elektronik ve optik özelliklerinin safsızlıklar ile önemli ölçüde değiştiği görülmüş, ilgili elektronik ve optik uygulamalardaki olası etkileri tartışılmıştır.