(Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin frekans ve aydınlanma şiddetine bağlı incelenmesi


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2007

Öğrenci: MEHMET HAMDİ KURAL

Danışman: ŞEMSETTİN ALTINDAL

Özet:

Bu çalısmada, magnetron sputtering yöntemi ile (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schotty diyotları üretilmis ve bu diyotların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/w-V) ölçümleri oda sıcaklıgında, karanlıkta, ısık altında ve farklı frekanslar için gerçeklestirilmistir. Doyum akımı (I0), sıfır beslem engel yüksekligi (FBo), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) degerleri, sırası ile karanlıkta 4,2x10-10 A, 0,755 eV, 1,24 ve 896 ; aydınlıkta ise 7,47x10-10A, 0,740 eV, 1,18 ve 419,7 olarak bulunmustur. Ayrıca diyotun kırılma voltajının da 21 V civarında oldugu görülmüstür. Aydınlatma islemi (C-V) ve (G/w-V) egrilerinde ters beslem yönünde 150 mV civarında ve artan aydınlanma siddeti ile artan bir kaymaya sebep olmustur. Bu davranısın aydınlanma ile ara yüzey durum yogunluklarında degismeye neden olan metal yarı iletken arasında uyarılan sabit yüklerden kaynaklandıgı seklinde açıklanmıstır. Ayrıca seri direncin (Rs) aydınlanma ile azaldıgı ve kapasitan-voltaj (C-V) ve iletkenlikvoltaj (G/w-V) özelliklerinde anlamlı degisiklere neden oldugu görülmüstür. I-V özellikleri ideal davranısa sahip degildir ve idealite faktörü (n), yarı iletken ile dengede olan ara yüzey durum yogunluklarına (Nss) tarafından kontrol edilmektedir.

izmir gundem komik videolar cizgi film izle cizgi film 3d oyunlar oyunlar