MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, -, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2005
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: SEFER BORA LİŞESİVDİN
Danışman: MEHMET KASAP
Özet:Ill MBE TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLEN InGaAs/GaAs VE AlGaAs/GaAs YARIİLETKENLERİNİN İLETİM ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Sefer Bora LİŞESİVDİN GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Temmuz 2005 ÖZET Bu çalışmada MBE tekniği ile büyütülen Ino,24Ga0,76As/GaAs ve Al0,15Ga0,85As/GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri incelendi. Özdirenç ve Hail etkisi ölçümleri 15-350 K sıcaklık ve 0-1.5 T manyetik alan aralığında yapıldı. Ölçümler neticesinde, Hail mobilitesinin, incelenen sıcaklık aralığında çok düşük değerlere sahip olduğu görüldü (MH= 10~70 cm2/V.s.). Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hail katsayının QMSA tekniğinde kullanılmasıyla mobilite spektrumları elde edildi. QMSA sonucunda, elektriksel iletimin çoklu taşıyıcılar (elektron ve deşikler) sayesinde olduğu ve her sıcaklıkta elektron-deşik çiftlerinin oluştuğu bulundu. Sıcaklık bağımlı Hail mobilitesi, uzay-yükü saçılma mekanizması ile analiz edildi ve NgA ~ (T/N)-1/3 bağımlılığı bulundu. Ölçümler ve analizler, In0,24Ga0,76As/GaAs ve Al0,15Ga0,85sAs/GaAs yarıiletkenlerinde iletim özelliklerinin uzay-yükü saçılması ve safsızlık bandı iletimi ile olduğunu gösterdi. Her iki numune için de, alıcı ve verici safsızlık enerji seviyelerini içeren bir bant modeli önerildi. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler: MBE, InGaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs, Hail Mobilitesi, QMSA, uzay-yükü, metal presipitat, 2DEG Sayfa Adedi : 98 Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP