Ga KATKILI Ge TEK KRİSTALLERİNİN CZOCHRALSKI TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLMESİ ve pn-EKLEM Ge DİLİM GELİŞTİRİLMESİ


Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2020

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: VEYSEL BARAN

Danışman: MEHMET ÇAKMAK

Özet:

Germanyum (Ge) güneş hücresinin performans parametreleri [kısa-devre akım yoğunluğu (JSC), açık-devre gerilimi (VOC), dolum faktörü (FF) ve enerji dönüşüm verimi (η)] üzerinde sıcaklığın etkisi teorik olarak araştırıldı. Artan sıcaklıkla kısa-devre akım yoğunluğu JSC’nin artmasına rağmen; açık-devre gerilimi VOC’deki azalma ve dolum faktörü FF’deki ilişkili azalma nedeniyle enerji dönüşüm verimi η azaldı. Ge güneş hücresi fabrikasyon işleminde kullanmak için, alttaş üretimi gerçekleştirildi. Czochralski (Cz) hacimli tek-kristal büyütme tekniği kullanılarak; Galyum (Ga) katkılı Ge tek-kristal külçesi büyütüldü. Büyütülen tekkristal külçeden üretilen p-tipi Ge numunelerinden bir tanesinin alttaş olarak kullanıldığı bir Ge güneş hücresi fabrikasyon işlemi gerçekleştirildi. Üretilen Ge güneş hücresinin performans parametreleri JSC, VOC, FF ve η, akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden belirlendi. Bu tez kapsamında; III-V grubu bileşik yarıiletken çok eklemli güneş hücreleri için oldukça önemli rollere sahip olan, Ge tek-kristal külçenin büyütülmesinden Ge güneş hücresinin üretilmesine kadar gerçekleştirilen çalışmalar ve elde edilen sonuçların, teknolojik bilgi birikiminin gelişimine katkı sağlama açısından değerli olduğu ifade edilebilir