Si ve Ge (111) yüzeylerine atom tutunmasının atomik ve elektronik özellikleri


Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2009

Öğrenci: SİBEL ÖZKAYA

Danışman: MEHMET ÇAKMAK

Özet:

Bu çalışmada, Si ve Ge (111) yüzeylerine bazı atomların tutunmasının atomik ve elektronik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio yöntemlerle hesaplandı. Tl, Grup-IV ve Yb atomlarının ilgili yüzeylere tutunmasının kararlı geometrileri elde edildi. Kararlı geometriler için, atomik yapı parametreleri, elektronik bant yapıları ve yüzey durumlarının orbital doğası araştırıldı. Elde edilen sonuçlar mevcut deneysel ve teorik sonuçlarla kıyaslandı.