Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2002
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: İLBİLGE DÖKME
Danışman: ŞEMSETTİN ALTINDAL
Özet:AI/p-Si VE Au/ıı-Si SCHOTTKY »İYOTLARDA J-K VE C-V KARAKTERİSTİKLERİNİN GENİŞ BİR SICAKLIK ARALIĞINDA ANALİZİ (Doktora Tezi) İlbilge DÖKME GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Ocak 2002 ÖZET Bu çalışmada; arayüzey tabakasına sahip Al/p-Si ve Au/n-Si Scbottky diyotlar için 150-375 K sıcaklık aralığında akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri ölçüldü. Orta bestem (»0.1-0.6) bölgesinde yarılogaritmik I-V eğrileri lineer bulundu. Lineer voltaj bölgesinde bu eğrilerin sıfır bestem voltajına ekstrapote edilmesiyle ekle edilen I" doyum akım yoğunluğundan 0g(I- V) potansiyel engel yüksekliği değerleri, deşikler için tünel parametresi bir alınarak her sıcaklık için hesaplandı. Her eğrinin lineer kısmının eğiminden ise idealite faktörü n sıcaklığın fonksiyonu olarak hesaplandı. Lineer bölgeden hesaplanan idealite faktörü değerlerinin sıcaklığa bağlı olarak 3.37-1.50 arasında değişimi Al/p-Si diyotun özellikle düşük sıcaklıklarda termiyonik alan mekanizmasına uyduğunu göstermektedir. Ayrıca idealite faktörünün yüksek değerlerde çıkması arayüzey durumlarının yüksek mertebedeki yoğunluğuna atfedildi. Arayüzey durum yoğunluğunun dağılımı değişik sıcaklıklarda I-V karakteristiklerinden elde edildi. Arayüzey durum yoğunluğu Nss'nin artan sıcaklıkla azalması, metal-yartiletken arayüzeyinde atomların yeniden yapılanma (restructuring) ve yeniden düzenlenme (reordering) durumlarının bir sonucudur. C-V ölçümlerinden, kapasitans değerlerinin Schottky engel yüksekliği ve arayüzey durumları nedeniyle uygulanan voltaja ve sıcaklığa bağlı olarak değiştiği gözlendi C-V ölçümlerinden hesaplanan arayüzey durum yoğunlukları I-V ölçümlerinden hesaplanan arayüzey durum yoğunluktan ite oklukça uyumlu bulundu. C-V ölçümlerinden hesaplanan potansiyel engel yüksekliği ile doğru bestem doyum akımı ifadesinde düzeltme yapıldıktan sonra elde edilen potansiyel engel yüksekliği değerlerinin de geniş bir sıcaklık aralığında birbiri ite iyi bir uyum içinde olduğu gözlendi. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : MİS ve MS yapılar, iletim mekanizmaları, arayüzey dorumları, Sayfa Adedi : 110 Tez Yöneticisi : Yd. Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL