Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2015
Öğrenci: AYSEL BÜYÜKBAŞ
Danışman: ADEM TATAROĞLU
Özet:Bu tez çalışmasında, ilk önce AuGe/SiO2/p-Si/AuGe (MOS) kapasitörün admitans ölçümleri (kapasitans ve iletkenlik), geniş bir sıcaklık (100 K 400 K) ve frekans (100 kHz 1 MHz) aralığında gerçekleştirildi. Kapasitans (C) ve iletkenlik (G) değerleri artan sıcaklık ile artmaktadır. Bu artış, arayüzey uzay yük oluşumlarından ve termal aktivasyon yük artışından kaynaklanmaktadır. Bu admitans ölçümleri kullanılarak kapasitörün sıcaklığa bağlı dielektrik sabiti (ɛ'), kayıp (ɛ''), kayıp tanjantı (tan δ) ve a.c. elektriksel iletkenlik (σac) parametreleri hesaplandı. Daha sonra, MOS kapasitörün empedans ölçümleri geniş bir frekans (100 Hz 1 MHz) ve d.c. gerilim aralığında gerçekleştirildi. Bu ölçümler sonucunda kapasitörün paralel direnç (Rp) , paralel kapasitör (Cp) ve seri direnç (Rs) değerleri elde edildi ve dielektrik parametreleri hesaplandı. Sonuç olarak, MOS kapasitörün elektrik ve dielektrik parametrelerinin hem sıcaklık hem de frekansa bağlı olduğu bulunmuştur.