Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2014
Öğrenci: EMRE PİŞKİN
Danışman: SÜLEYMAN ÖZÇELİK
Özet:Bu tez çalışmasında, Si alttaş üzerine III-V grubu yarıiletkenlerden GaP katmanın iyi kristal kalitesinde moleküler demet epitaksi (MBE) tekniği ile büyütüldü. Büyütülen bu yapının yapısal, elektriksel, morfolojik ve optik özellikleri analiz edildi. GaP/Si yapısının Hall etkisi ölçümleri ile taşıyıcılar üzerindeki etkin saçılma mekanizmaları belirlendi. Ayrıca, faklı P oranına sahip GaAsP yapısının Si alttaş üzerine ardışık iki pn-eklem olarak büyütülmesi gerçekleştirildi. Büyütülen iki pn-eklemli yapının yapısal ve optik özellikleri SEM, SIMS ve PL analizleri ile incelendi. Yapılan analizler, ardışık iki eklemli yapının, iki farklı dalga boyunda ışıma yaptığı PL ölçümleri ile belirlenerek iki renkli LED aygıtları için uygun olduğu görüldü. İki eklemli GaAsP/GaP/Si yapısından litografik teknikle diyot fabrikasyonu gerçekleştirilerek, üretilen yapının diyot özelliğine sahip olduğu gösterildi.