Altıgen ve kübik galyum nitrür ince tabakalarının raman özellikleri

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2003

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: YEŞİM TAN

Danışman: Mehmet Mahir Bülbül

Özet:

ALTIGEN VE KÜBİK GALYUM NİTRÜR İNCE TABAKALARININ RAMAN ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Yeşim TAN GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Aralık 2003 ÖZET Bu çalışmada, lll-V yarıiletkenlerden olan GaN üst tabakasının birinci mertebe Raman saçılımı için, altıgen ve kübik politipleri karakterize edilmiş ve karşılaştırmıştır. Oda sıcaklığında, farklı geometrilerde GaAs alt tabakaları üzerindeki katkısız ve p-tipi katkılı a-GaN ile katkısız (3-GaN üst tabakalarının titreşimsel özellikleri Raman spektroskopisi ile incelenmiştir. GaAs(001), GaAs(111)A ve GaAs(111)B alt tabakaları üzerine büyültülmüş altıgen ve kübik yapılı GaN üst tabakalarının spektrumlarında, tüm izinli Raman aktif fonon frekansları gözlenmiştir. Farklı örneklerde, kübik GaN' in T2 enine optik (TO) ve boyuna optik (LO) frekansları, altıgen GaN' in E2(düşük), Aı(TO), E^TO), E2(yüksek), Aı(LO), Eı(LO) frekansları kadar iyi belirlenmiştir. Fonon frekanslarının ölçülen değerleri, yapılan diğer çalışmalarla karşılaştırılmıştır. Bilim Kodu : 223. 23 Anahtar Kelimeler : Raman spektroskopisi, Stokes ve anti-Stokes saçılımı, yarıiletken, altıgen GaN, kübik GaN, Brillouin bölgesi Sayfa Adedi : 76 Tez Yöneticisi : Yrd.Doç.Dr. M. Mahir BÜLBÜL