Arayüz oksit tabakası ve seri dirence sahip ruln-Si schottky diyod parametrelerinin doğru beslem I-V ve C-V karakteristiklerinden hesaplanması
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 1998
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: ÖZKAN VURAL
Danışman: ŞEMSETTİN ALTINDAL
Özet:ARA YÜZEY OKSİT TABAKASI VE SERİ DİRENCE SAHİP Au/n-Si SCHOTTKY DİYOT PARAMETRELERİNİN DOĞRU BESLEM I-V VE C-V KARAKTERİSTİKLERİNDEN HESAPLANMASI (Yüksek Lisans Tezi) Özkan VURAL GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ TEMMUZ 1998 ÖZET Bu çalışmada LPE (Liquid-Phase-Epitaxy) tekniği ile büyütülmüş [100] yönelimine sahip 0,01 fi.cm özdirençli fosfor(P) katkılanmış n+ taban malzemesi üzerine 15 jım kalınlığında 2 Q.cm özdirençli, antimon(Sb) katkılanmış n-tipi silisyum(Si) kristali kullanıldı. Ultrasonik banyoda kimyasal olarak temizlenen ve yüksek vakum ortamında hazırlanan Au/n-Si Schottky engel diyodlarmın I-V karakteristiklerinden temel diyod parametreleri olan idealite faktörü(n), doyum akımı (I0), potansiyel engel yüksekliği(OBn) ve seri direnç (Rs) farklı metotlarla hesaplanılarak karşılaştırıldı. Ayrıca hemen hemen tüm elektriksel karakteristikleri etkileyen arayüzey durum yoğunluklan(Nss), I-V karakteristiklerinden yasak enerji aralığının fonksiyonu olarak hesaplandı. Oda sıcaklığındaki doğru beslem I-V grafiğinin orta beslem bölgesindeki lineer kısmının eğiminden idealite faktörü(n) ve bu lineer kısmın sıfır beslemde akım eksenini kestiği nokta olan 6,3.1 0'9 A doyum akım değerinden de potansiyel engel yüksekliği(OBn) sırasıyla 1,22 ve 0,78 eV bulundu. Bu deneysel I-V eğrisine, teorik I-V eğrisinin fit edilmesiyle diyod seridirenci(Rs), idealite faktörü(n) sırasıyla 26 Q ve 1,2 olarak bulundu. Elde edilen sonuçlardan daha emin olabilmek için H. Norde tarafından sunulan ve önce K. Sato ile Yasamura ve sonra da K.E. Bohlin tarafından geliştirilen F(V) fonksiyonu-V grafiğinden de n, Rs ve ®en sırasıyla n=l,25, Rs =25 Q ve ^Bn =0,78 eV bulundu. Buna ilaveten N.W. Cheung ile S. K. Cheung tarafından sunulan H(V)fonksiyonu-I grafiğinin eğiminden n ve Rs sırasıyla 1,27 ve 25,5 Q bulundu. Elde edilen bu sonuçlardan, hazırlanan Au/n-Si Schottky diyodunun hem arayüzey oksit tabakasma hem de bir seri dirence sahip olduğu sonucuna varıldı. Ayrıca idealite faktörü (n) ve potansiyel engel yüksekliği(OBn)'nin voltaja bağlı olduğu düşüncesinden hareket ederek, metal ile yarıiletken arasında yasak enerji aralığına dağılmış arayüzey durum yoğunluklarının profili enerjinin fonksiyonu olarak elde edildi. Bu arayüzey durumları 0.4-0.8 eV yasak enerji aralığına hemen hemen U biçiminde dağılmıştır ve yaklaşık 5. 1012 cm^eV"1 mertebesindedir. Bilim kodu Anahtar kelimeler Sayfa adedi Tez yöneticisi 404.05.01 Arayüzey durumları, seri direnç, ilave kapasitans 59 Yard.Doç.Dr. Şemsettin ALTINDAL