Al/SiNx/p-Si(100) (MYY) Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin düşük sıcaklıklarda incelenmesi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2005
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: SEDAT ZEYREK
Danışman: Mehmet Mahir Bülbül
Özet:Al/SİNxlp-Si(100) (MYY) SCHOTTKY DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL KARAKTERİSTİKLERİNİN DÜŞÜK SICAKLIKLARDA İNCELENMESİ (Doktora Tezi) Sedat ZEYREK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTİSÜ ÖZET Metal-yalıtkan-yarıiletken (Al/SİNxlp-Si) Schottky engel diyotların; akım- voltaj (l-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri, 80-300 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Temriyonik emisyon (TE} teorisine göre; l-V karakteristiklerinden hesaplanan sıfır-beslem engel yüksekliği <$». artan sıcaklıkla arttığı bulundu. Aynı zamanda, artan sıcaklıkla azalan idealite faktörü ve özellikle aktivasyon enerji grafiği düşük sıcaklıklarda lineer olmadığı gözlendi Bir şeklideki davranış; arayüzeydeki engel yüksekliklerinin bir Gaussian dağılımına düşünülerek, Schottky engel homojensizliğine atfedilir. Engel yüksekliklerine ait Gausstan dağılımına delil elde etmek için ®m 'm q/2k"P ye göre grafiği çizildi ve ortalama enget yüksekliği &bo= 0,826 eV değeri ie sıfır-beslem standart sapma g0~ 0,091 V değeri bu garafikden elde edildi. Sıcaklık sabiti kullanılmaksızın modifiye edilen In (fST2)-qo2T2(kT)2 nin qfkT ye göre grafiğinden, engel yüksekliği #bo ve Richardson sabiti A* değerleri sırasıyla 0,820 eV and 30, 273 A/cm2K2 olara k elde edildi. Bulunan 30,273 A/cm2K2 değerindeki Richardson sabiti, p-tîpî Si îçin bilinen 32 A/cm2K2 değerine çok yakındır. Daha sonra; Al/SiNxlp-Si Schottky engel diyotların doğru-beslem l-V karakteristiklerinin sıcaklığa bağlılığı, engel yüksekliklerinin bir Gaussian dağılımlı TE mekanizması temelinde başarılı bir şekilde açıklanabildiği sonucu çıkarıldı. İlave olarak;arayüzey durum yoğunluğu (Nss) profillerinin enerji dağıtımlarının sıcaklığa bağlı fiği, idealite faktörü ve etkin engel yüksekliğinin besleme bağlılığı hesaba katılarak doğru bestem İ-V ölçümlerinden hesaplandı. Bitim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelime : MWDiyot Gaussian Dağılım, Arayüzey Durumları, Nitrür Pasivasyonu, Elektrokimyasal Anodizasyon. Sayfa Adedi : 96 Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. D r. M. Mahir BÜLBÜL