Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2011
Öğrenci: TUĞÇE ATASEVEN
Danışman: ADEM TATAROĞLU
Özet:Bu çalışmada, 1 kHz-1 MHz frekans ve 80-400 K sıcaklık aralığında Au/Si3N4/n- Si (MIS) yapının dielektrik özellikleri incelendi. Kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ω-V) ölçümleri 5 Hz-13 MHz frekans aralığına sahip HP 4192A LF Empedans Analizörü kullanılarak yapıldı. Dielektrik parametrelerin hesaplamalarında, C-V ve G/ω-V ölçümleri kullanılmıştır. Deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik parametrelerin frekans ve sıcaklığa bağımlı olduğunu göstermektedir. Dielektrik sabiti (ε') ve dielektrik kayıp (ε'') artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Aynı zamanda, ac iletkenlik (σac) hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile artmaktadır. Ayrıca, deneysel sonuçlardan düşük frekans bölgesinde arayüzeysel kutuplanmanın, yüksek frekans bölgesinde ise yönelimli kutuplanmanın etkili olduğu bulunmuştur.