Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerde dielektrik sabitinin frekans, sıcaklık ve kalınlığa bağlı incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1999

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ADEM TATAROĞLU

Danışman: ŞEMSETTİN ALTINDAL

Özet:

METAL-OKSİT- YARIİLETKEN (MOS) KAPASITÖRLERDE Dİ ELEKTRİK SABİTİNİN FREKANS, SICAKLIK VE KALINLIĞA BAĞLI İNCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Adem TATAROĞLU GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ARALIK 1999 ÖZET Elektriksel empedans ölçümleri HP 4 192 A LF Empedans Analizmetre (5Hz- 13MHz) ile gerçekleştirildi. MOS yapılardaki yalıtkan SİO2 tabakası termal olarak -300Â-3500Â olarak büyültüldü. Al/Si02/p-Si Metal-Oksit- Yarıiletken (MOS) kapasitörlerin sıcaklığa ve frekansa bağlı dielektrik sabitle'), dielektrik kayıp(e") ve dielektrik tanjant(tanS) değerleri 20 °C-80 °C sıcaklık aralığında ve lOkHz-lOMHz frekans aralığında incelendi. Bu MOS yapıların dielektrik sabiti, dielektrik kayıp ve dielektrik tanjant değerlerinin frekans, sıcaklık ve yalıtkan oksit tabakasının kalınlığına kuvvetlice bağlı olduğu görüldü. Özellikle 100 kHz altındaki frekans değerlerinde hem e' hem de e" azalan frekansla hemen hemen lineer olarak arttığı gözlendi ve e" ~1 MHz civarında bir pikten geçmektedir. Bilim kodu :404.05.01 Anahtar kelimeler :Metal-oksit-yaniletken, dielektrik sabiti, dielektrik kayıp, dielektrik tanjant Sayfa adedi :6l Tez yöneticisi :Yrd.Doç.Dr. Şemsettin ALTINDAL