AlGaN/GaN TEMELLİ YÜKSEK ELEKTRON HAREKETLİLİKLİ TRANSİSTÖRLERİN (HEMT) ELEKTRON VE MANYETO İLETİM ÖZELLİKLERİ


Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2008

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Sefer Bora LİSESİVDİN

Danışman: MEHMET KASAP

Özet:

Bu çalısmada AlGaN/GaN ve AlGaN/AlN/GaN/AlN yapısına sahip 6 numunenin elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Özdirençleri 22 – 350 K sıcaklığı arasında, Hall hareketliliği ve Hall tasıyıcı yoğunlukları aynı sıcaklık aralıklarında 0 – 1,5 T manyetik alan altında ölçülmüstür. Manyeto iletim sonuçları, Nicel Hareketlilik Spektrumu Analizi (QMSA) yöntemi kullanılarak analiz edilmis ve numunelerdeki 2-boyutlu ve 3-boyutlu iletim mekanizmaları birbirlerinden ayrıstırılmıstır. Hall ölçüm sonuçları ve QMSA ile ayrıstırılmıs 2-boyutlu iletim mekanizmasına ait sonuçlar ayrı ayrı saçılma analizlerinde ve katmanlar arası gerginlik hesabında kullanılmıs, aralarındaki fark irdelenmistir. Yapılan analizlerle, 2-boyutlu iletimin gerçeklestiği kuvantum kuyusunun genisliği, iletimin gerçeklestiği arayüzeyin bozukluğu ve gerginlikleri hesaplanmıstır. Yapısal özelliklere ait bu parametrelerin basarılı tayini, ileride elektriksel özellikleri daha iyi numunelerin üretilmesine yol gösterecektir.