ORGANİK/İNORGANİK TFA/TiO2 HETEROEKLEM AYGITLARIN OPTOELEKTRONİK KARAKTERİZASYONU


Creative Commons License

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2025

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Selçuk İzmirli

Danışman: Şükrü Çavdar

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada, TFA ve TiO2 organik/inorganik heteroeklem aygıtlarının üretimi için katmanlı bir mimari temelinde sistematik bir deneysel süreç planlandı.  Her bir katmanın deneysel optimizasyonu ayrı ayrı değerlendirilerek ardışık büyütme işlemleri gerçekleştirildi. p-Si üzerine döndürmeli kaplama yöntemiyle TiO₂ ince filmler büyütülerek üretilen Al/TiO₂/p-Si/Al aygıtlarında optimum TiO₂ kalınlığı belirlendi. Bu film, çekirdek tabaka olarak kullanılarak üzerine hidrotermal yöntemle farklı kalınlıklarda TiO₂ nanoçubuk (TNR) katmanları büyütüldü. Üretilen Ag/TNR/p-Si/Al yapılar karşılaştırılarak en uygun TNR kalınlığı saptandı. Ayrıca döndürmeli kaplama yöntemiyle p-Si, TiO2 ince film ve TNR yapıları üzerine TFA organik malzemesi büyütülerek sırasıyla Al/TFA/p-Si/Al Al/TFA/TiO2/p-Si/Al ve Ag/TFA/TNR/p-Si/Al aygıtları üretildi. Tüm üretilen aygıtların yapısal, morfolojik ve elektriksel özellikleri; AFM, SEM ve XRD analizleri ile karakterize edildi. Elektriksel performansları I–V karakteristikleriyle belirlenirken, C–V ve G–V ölçümleriyle de elektriksel davranışları detaylı olarak incelendi. Bu tez çalışmasında elde edilen sonuçlar, döndürmeli kaplama yöntemi ile büyütülen TFA ve TiO₂ ince filmli aygıtların ayrı ayrı kullanıldıklarında yüksek fotodiyot özellikleri gösterdiklerini, birlikte katmanlı yapı oluşturduklarında da bu özelliklerini koruduklarını ortaya koymaktadır. Ayrıca, hidrotermal yöntemle Si yüzeyine TNR yapıları kontrollü bir şekilde başarıyla büyütülerek, TFA ile güçlü bir çekirdek-kabuk etkileşimi oluşturması sağlandı.