MBE ile büyütülen Si delta-katkılı GaAs'nin elektriksel ve yapısal özelliklerinin incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2007

Öğrenci: GÜLDEREN CANKUŞ AYDIN

Danışman: SÜLEYMAN ÖZÇELİK

Özet:

Bu çalısmada, Moleküler Demet Epitaksi ile büyütülmüs Si delta-katkılı GaAs yarıiletkeninin elektriksel ve yapısal özellikleri incelendi. Hall ölçümleri 0,4 T'lık sabit magnetik alan altında 30-300K sıcaklık aralığında yapıldı. Mobiliteyi teorik olarak hesaplamak için, dislokasyon saçılması hariç çesitli saçılma mekanizmalarını içeren Boltzmann denkleminin iteratif çözümü kullanıldı. Teorik ve deneysel sonuçlar karsılastırılarak dislokasyon saçılmasının karakteri ve baskın saçılma mekanizmaları belirlendi. Çalısma kapsamında büyütülen numunelerin yapısal özellikleri yüksek çözünürlüklü X-ısını kırınımı ile belirlendi.