Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2014
Öğrenci: POLAT NARİN
Danışman: MEHMET KASAP
Özet:Bu çalışmada, farklı kalınlıklarda InGaN ve GaN kanal tabakaya sahip In0.17Al0.83N/AlN/In0.1Ga0.9N/GaN ve In0.17Al0.83N/AlN/GaN yüksek elektron hareketlilikli transistör (HEMT) yapılarının elektron iletim özellikleri araştırıldı. Bu amaçla her bir numune için özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 30-300 K sıcaklık aralığında yapıldı. Ölçümler sonucunda göz önüne alınan yapıların mükemmel bir 2-boyutlu elektron gazı (2DEG) davranışı sergilediği tespit edildi. Bu nedenle iki boyutlu saçılma analizleri yapılarak iletimin gerçekleştiği kuantum kuyu genişliği ve arayüzey bozukluğu parametreleri belirlendi. Ayrıca numunelerin, kanal tabakalarına bağlı olarak 2DEG hareketliğinin nasıl değiştiği ve uygun InGaN kanal tabaka kalınlığı belirlendi. Belirlenen bu parametreler ile daha sonra olası çalışmalar için iyileştirmeler önerildi.