GaN-temelli ultraince bariyerli yüksek elektron devingenlikli transistörlerinin benzetimi ve optimizasyonu

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2016

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: JANGEEZ MOSTAFA M JAMEEL AL ABBAS

Danışman: SEFER BORA LİŞESİVDİN

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalıĢmada AlN, AlGaN ve AlInN ultraince bariyerli GaN temelli yüksek elektron devingenlikli transistör (HEMT) çoklu yapılarının 2-Boyutlu Elektron Gazı (2DEG) özellikleri bir boyutlu kendini-eĢleyebilen Schrödinger-Poisson denklemlerinin çözümleri kullanılarak incelendi. AlN, AlGaN ve AlInN ultraince bariyerli toplam 10 farklı yapı için farklı GaN kapak katman ve farklı bariyer katman kalınlıklarının ve katkı yoğunluklarının iletkenlik bant profili, elektron bulunma olasılığı ve taĢıyıcı yoğunluğu üzerine etkileri incelenmiĢtir. Ayrıca bazı çoklu yapılar farklı InGaN kanal kalınlıklarına ve katkı tipine göre de incelenmiĢtir. Elde edilen verileri kullanılarak en yüksek taĢıyıcı yoğunluğuna sahip olan ve elektron bulunma olasılığı cinsinden saçılma mekanizmalarından en az etkilenebilecek özelliklere sahip en iyileĢtirilmiĢ ultraince bariyerli GaN temelli HEMT çoklu yapıları gelecek aygıt araĢtırmaları için öne sürülmüĢtür.