InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) süperörgüsünün MBE ile büyütülmesi ve elektriksel-yapısal özelliklerinin belirlenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2005

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: BEYZA SARIKAVAK

Danışman: SÜLEYMAN ÖZÇELİK

Özet:

m InxGa1-xAs / GaAs (x=0,15) SÜPERÖRGÜSUNUN MBE İLE BÜYÜTÜLMESİ VE ELEKTRİKSEL - YAPISAL ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Beyza SARIKAVAK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Temmuz 2005 ÖZET Yüksek kaliteli InxGaı.xAs/GaAs süperörgüsü (SL) x=0,15 için V80H-MBE sistemi ile 560 C de büyütüldü. Büyütülen numune toplam 5 periyoda (10 o tabakaya) sahiptir. GaAs tabaka kalınlığı 250 A ve Ino,ısGao,8sAs tabakaları 50 o A ' dur. GaAs büyüme oranı 1 um/saat olarak RHEED kullanılarak ayarlandı. Tabaka kalınlığı ve yapısal analizi X-ışınları difraksiyonu yolu ile belirlendi. Evaporasyon sistemde numunenin alt kısmına bütünüyle, üst tarafına ise noktasal olarak 400°C de Au kontak yapıldı. Diyot yapıları I-V ölçüm metoduyla karakterize edildi. I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (tj>B) ve arayüzey durumları belirlendi. C-V, (G/W) -V ölçümlerinden katkı atomlarının yoğunluğu, difüzyon potansiyeli, potansiyel engel yüksekliği (0B), seri direnç (Rs), Fermi enerjisi (Ep) belirlendi. Bilim Kodu : 404.05.01 Anahtar Kelimeler : MBE, InGaAs, süperörgü, XRD, seri direnç, arayüzey durumları, sıcaklığa bağlılık. Sayfa Adedi : 112 Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK