Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristiklerinin incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2011

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ŞENAY SEZGİN

Danışman: ADEM TATAROĞLU

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada, n tipi silisyum (Si) alttaş üzerine radyo frekans (RF) püskürtme metoduyla hazırlanmış Si3N4 yalıtkan tabakalı Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapının kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ ? -V) karakteristikleri incelendi. C-V ve G/ ? -V ölçümleri, HP 4192A LF Empedans Analizörü kullanılarak ve seri direnç (Rs) ve arayüzey durum (Nss) etkisi dikkate alınarak, sırasıyla 1 kHz-1 MHz frekans ve 80-400 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Rs hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile azalmaktadır. Ayrıca, ölçülen kapasitans ve iletkenlik değerleri MIS yapının gerçek kapasitans ve iletkenliğini bulmak için, seri direnç etkisinden dolayı düzeltilmiştir. Nss'nin varlığı, C-V ve G/ ? -V eğrilerinin ideal durumdan sapmasına yol açar. Arayüzey durumları özellikle düşük frekanslarda ac sinyalini kolayca takip edebilir ve böylece kapasitansa katkıda bulunurlar.