Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2008
Öğrenci: ABDULLAH YILDIZ
Danışman: MEHMET KASAP
Özet:Bu çalışmada MOVPE kristal büyütme yöntemi ile GaN/Al2O3 üzerine büyütülen beş adet n-tipi InxGa1-xN (0,060 ≤ x ≤ 0,135) numunesi için safsızlık bandı iletkenliği analizleri gerçekleştirilmiştir. İletkenlik, Hall mobilitesi ve taşıycı yoğunluğu 15-350 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Çalışılan numunelerin elektron iletim özellikleri; elektron-elektron etkileşmeleri ve zayıf lokalizasyon etkilerini içeren metalik bir modelle açıklandı. Ayrıca, fotolümünesans (PL), optik absorbsiyon (OA) ve yüksek çözünürlüklü X-ışınları difraksiyonu ölçümleri gerçekleştirilerek, numunelerin optiksel ve yapısal özellikleri tartışıldı. Çalışılan InxGa1-xN numuneler için band bükülme parametresi değeri PL ve OA ölçümlerinden sırası ile 3,088 eV ve 4,092 eV olarak bulundu.