Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2022
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Ülviye Yeşim DEMİRÖLMEZ
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Şükrü Çavdar
Eş Danışman: Lütfi Arda
Özet:
Bu çalışmada ZnCo2O4 nano parçacıkları sol jel yöntemi kullanılarak üretildi. ZnCo2O4 yapısı X ışını kırınım cihazı, taramalı elektron mikroskobu ile yapısal ve morfolojik karakterizasyonu yapıldı. Katkısız ve ZnCo2O4 ağırlıkça %1 ve %5 oranında jelatine katkı yapılarak, 100 düzleminde yönlenmiş n tipi Si kristal üzerinde döndürmeli kaplama yöntemi kullanarak katkısız ve katkılı MOS yapı Schottky diyotlar oda sıcaklığında üretildi. Üretilen MOS yapıların 1 kHz-1,5 MHz frekans aralığında, 0-2 V arası 0,2 V aralıklarla kapasite (Cf) ve iletkenlik (G-f) ölçümleri oda sıcaklığında alındı. Ayrıca diyotlar (-5V) – (+5V) aralığında, 30 kHz-1 MHz frekans arası 20 kHz-200 kHz aralıklarla kapasite (C-V) ve iletkenlik (G-V) ölçümleri alındı. Bu değerler kullanılarak seri direnç (Rs) değerleri ve düzeltilmiş kapasite, düzeltilmiş iletkenlik değerleri voltaja ve frekansa bağlı olarak hesaplandı. Elde edilen sonuçlara göre katkı oranı arttıkça kapasite ve iletkenlik değerlerinin arttığı bulundu. Rs değerlerinin genel olarak artan frekans ile azaldığı görüldü.
Anahtar Kelimeler : Nano parçacık, ZnCo2O4, Jelatin, MOS yapı