Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2011
Öğrenci: ÖZKAN VURAL
Danışman: ŞEMSETTİN ALTINDAL
Özet:Al/Rhodamine-101/n-GaAs Schottky engel diyotlarının (SBDs) elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktansvoltaj (G/w-V) ölçüm metotları kullanılarak geniş bir sıcaklık aralığında incelendi. Artan sıcaklık ile idealite faktöründe (n) bir azalma ve sıfır-beslem engel yüksekliğinde (ΦBo) ise bir artma olduğu gözlendi. ΦBo ve n değerlerinin bu şekildeki davranışı, metal/yarıiletken (M/Y) ara yüzeyinde oluşan engel homojensizliğine atfedilebilir ve bu durum Gaussian dağılımı (GD) ile açıklanabilir. Diyot idealite faktörünün sıcaklığa çok bağlı olması, M/Y arayüzeyindeki organik tabakada oluşan akım sürecinin, orta ve yüksek gerilim bölgelerindeki akım iletiminin uzay-yük sınırlaması mekanizmasının etkin olabileceğini göstermektedir. Böylece, metal/n-GaAs Schottky diyotlarda kullanılan Rh101 ara-yüzey tabakası, M/Y arasında oluşan ΦBo değerini oldukça değiştirir. Sonuç olarak, geleneksel Al/n-GaAs Schottky diyotlar için 290 K de elde edilen ΦBo değeri, bu çalışmadaki Al/Rh101/n-GaAs için elde edilen 0,68 eV değerlerinden önemli ölçüde yüksek olduğu belirlendi. C ve G/w değerlerinin de sıcaklığa bağlı olduğu gözlendi. Kapasitans verilerinde, tüm sıcaklıklar için doğru ön-gerilim bölgesinde negatif kapasitans olayı gözlendi. Kapasitans verilerindeki bu davranış, M/S ara-yüzeyinde lokalize olmuş ara yüzey durumlarının kaybıyla veya elektrotlar arasında yüklerin azalmasıyla açıklanabilir. Buna ilaveten, gerçek C-V eğrisini elde etmek için 290 K'deki C-V eğrisi, seri direnç (Rs) değeri dikkate alınarak düzeltildi.