GaN yarıiletken ince filmlerin optik özelliklerinin fotolüminesans tekniğiyle incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2004

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: SANCAR CEBE

Danışman: Mehmet Mahir Bülbül

Özet:

GaN YARIİLETKEN İNCE FİLMLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİNİN FOTOLÜMİNESANS TEKNİĞİYLE İNCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Sancar CEBE GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Nisan 2004 ÖZET Bu tez çalışmasında GaAs alttaş üzerine MBE yöntemiyle büyütülmüş katkılı ve katkısız altıgen (wurtzite) yapıdaki GaN yarıiletken numuneler ile katkılı ve katkısız kübik çinko sülfit (zinc blende) yapıdaki GaN yarıiletken numunelerin fotolüminesans spektrumları oda sıcaklığında 337.1 nm dalga boyu ve 7mW güç çıkışlı N2 lazeri ile ölçüldü. Altıgen ve kübik çinko sülfit yapıların oda sıcaklığındaki bant enerji aralığı tayin edildi. Ölçülen sonuçların literatürdeki değerlerle uyum içinde olduğu görüldü. Bilim Kodu Anahtar Kelimeler Sayfa Adedi Tez Yöneticisi 404.05.01 GaN, Fotolüminesans 62 Yrd. Doç. Dr. M. Mahir BÜLBÜL