Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2008
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Muharrem GÖKÇEN
Danışman: ŞEMSETTİN ALTINDAL
Özet:u/SiO2/n-GaAs (MOS) yapıların; seri direnç (Rs), arayüzey durumları (Nss) ve ac elektrik iletkenlik (sac) gibi elektriksel karakteristikleri ile dielektrik sabiti (e\'), dielektrik kayıp (e\"), dielektrik kayıp tanjantı (tand), reel ve imajiner elektrik modülü (M\' and M\") gibi dielektrik özelliklerinin frekans, sıcaklık ve oksit tabaka kalınlığına bağımlılığı, 80-350 K sıcaklık aralığında değisik frekans ve oksit tabaka kalınlıkları için deneysel kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/w-V) ölçümleri kullanılarak arastırıldı. Deneysel sonuçlar göstermistir ki; özellikle yüksek sıcaklık ve düsük frekanslarda, arayüzey durum yoğunluğunun (Nss) dağılımı ile gevseme zamanı t ve arayüzeyin termal olarak yeniden yapılanmasına bağlı olarak C ve G/w değerleri frekans, sıcaklık ve oksit tabaka kalınlığına oldukça bağımlıdır. Au/SiO2/n-GaAs (MOS) yapısının Rs ve Nss değerleri sırasıyla Nicollian ve Hill-Coleman metotları kullanılarak hesaplanmıs olup bu değerler artan frekansla azalmaktadır. Artan sıcaklıkla azalan seri direnç, artan oksit kalınlığına bağlı olarak lineer olarak artmaktadır. Dielektrik sabiti, dielektrik kayıp, kayıp tanjant ve elektrik modülünün frekans, sıcaklık ve oksit tabaka kalınlığının kuvvetli bir fonksiyonu olduğu bulundu. ε\', ε\'\' ve tanδ değerleri artan frekansla azalırken reel ve imajiner elektrik modülü artan frekansla artmaktadır. Ayrıca, ε\' ve ε\'\' artan v sıcaklıkla artarken, reel ve imajiner elektrik modülü artan sıcaklıkla azalmaktadır. Artan oksit kalınlığına bağlı olarak dielektrik sabiti e\' değerleri azalırken, tand ve elektrik modülünün imajiner bileseni olan M\" değerleri artmaktadır.