Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2018
Öğrenci: UĞUR KÖROĞLU
Danışman: AYŞE AYDOĞDU
Özet:Transistörler, girişine uygulanan sinyali yükselterek gerilim ve akım kazancı sağlayan, gerektiğinde anahtarlama elemanı olarak kullanılan yarı iletken bir elektronik devre elemanıdır. Transistörler elektronik cihazların temel yapı taşlarındandır. Günlük hayatta kullanılan elektronik cihazlarda birkaç taneden birkaç milyara varan sayıda transistör bulunabilir. Yüksek elektron mobiliteli transistörler (HEMT) elektron taşıma özelliğinden dolayı yüksek güç, frekans ve yüksek kapasiteli uygulamalar için umut verici bir teknoloji olarak çıkmıştır. HEMT, katkı bölgesinin yerine bir kanalda akım akışını sağlamak için farklı bant aralıklı iki materyal arasında bir eklem içeren alan etkili transistördür. Gerilim kontrollü ve üç uçlu bir elemandır. HEMTzin uçları G (Kapı), D (Akaç) ve S (Kaynak) olarak tanımlanır. Kaynak ve Akaç terminalleri arası akım, üçüncü bir terminalle (kapı) kontrol edilebilir. HEMTz in çalışma prensibine göre elektronlar akaç ile kaynak arasında akar ve bu akım, kapıya elektrik alanı uygulamasıyla kontrol edilebilir. Kapı adımı fabrikasyonun en kritik ve en hassas adımlarından biridir. Bu çalışmada, AlGaN/GaN HEMTzlerde kapı (gate) adımı üretimi ve çeşitleri anlatılmıştır. Farklı tip kapı yapıları üretilmiş taramalı elektron mikroskobu (SEM) analizleri yapılmış ve aygıtların akım-gerilim ölçümleri gerçekleştirilerek kapı yapıları test edilmiştir.