Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Metal Eğitimi, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2006
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: İLKER ÜNALAN
Danışman: Kamil Kunt Tüzünalp
Özet:
YÖNLÜ KATILAŞTIRILMIŞ ALÜMİNYUMUN DÖKÜM MİKRO VE MAKRO
YAPILARININ İNCELENMESİ
(Yüksek Lisans Tezi)
İlker ÜNALAN
GAZİ ÜNİVERSİTESİ
FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ
Haziran 2006
ÖZET
Bu çalışmada, sabit kalıp-hareketli fırın prensibi kullanılarak bir yönlü
katılaşma sistemi tasarlanmıştır. Sistem üzerinde %99,3 saflık
derecesinde alüminyum malzeme 900 oC, 950 oC, 1000 oC ve 1050 oC
fırın sıcaklıklarında yönlü katılaştırılarak tek kristalli döküm makro
yapısı elde edilmesi amaçlanmıştır. Deney sonuçları üzerinde sıcaklık
gradyanları, sıvı-katı ara yüzey hızları hesaplanmış ve makro ile mikro
yapı analizleri yapılmıştır.
Deneylerde ısı akışının ters yönünde büyümüş sütunsal taneler elde
edilmiştir ancak tek kristal elde edilememiştir. Ortalama sıcaklık
gradyanları 20,03 ile 26,70 oC/cm arasında ve ortalama büyüme hızları
ise 0,0191 ile 0,0208 mm/sn aralığında değişmiştir. Deneylerde sabit
fırın sıcaklığı, sabit soğutucu sıcaklığı sağlanmıştır. Büyüme hızının ise
numune boyunca değiştiği gözlenmiştir.
Sonuçlara göre, düşük fırın sıcaklıkları için düşük ve yüksek fırın
sıcaklıkları için yüksek sıcaklık gradyanları elde edilmiştir. 900 oC’den
1050 oC’ye doğru artan fırın sıcaklıkları için, ortalama sıcaklık
v
gradyanları artarken, ortalama büyüme hızları azalmıştır. Makro
yapılarda görülen sütunsal tanelerin içinde hücresel katılaşma
gerçekleşmiştir. Bu hücrelerde, ısı akış yönünün tersine doğru düzgün
şekilde yönlenme sağlanmıştır. Deneylerde, numune tabanına yakın
bölgelerde büyük hücre ve dikey yönde kalıbın üst bölümlerine doğru
gidildikçe küçülmüş hücre boyutuna rastlanmıştır. Fırın sıcaklığının
artmasıyla birlikte dökümlerdeki birim hücre sayılarının azaldığı
görülmüştür.
Bilim Kodu : 710.3.011
Anahtar Kelimeler : Yönlü katılaşma, tek kristal, alüminyum
Sayfa Adedi : 122
Tez Yöneticisi : Dr. Kamil Kunt TÜZÜNALP