GaN yarıiletken kristalinde elektron iletimi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2004

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ABDULLAH YILDIZ

Danışman: MEHMET KASAP

Özet:

GaN YARIİLETKEN KRİSTALİNDE ELEKTRON İLETİMİ (Yüksek Lisans Tezi) Abdullah YILDIZ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Ocak 2004 ÖZET Bu çalışmada MOVPE (metal organic vapor phase epitaxi) kristal büyütme yöntemi ile SiN üzerine büyütülen n tipi GaN yarıiletkeninin elektron iletim özellikleri araştırıldı. İletkenlik, Hail Mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu 15-345 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Hail Mobilitesi, ISBE ve iki bant modeli kullanılarak analiz edildi. Hail taşıyıcı yoğunluğu ise iki bant ve Wolfe-Stillman modelleri kullanılarak analiz edildi. Alıcı ve verici safsızlık yoğunlukları ve verici aktivasyon enerjisi tahmin edildi. Bilim Kodu Anahtar Kelimeler : GaN, elektron iletimi, Hail Mobilitesi, ISBE Sayfa Adedi : 55 Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP