Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2012
Öğrenci: FATMA ZEHRA PÜR
Danışman: ADEM TATAROĞLU
Özet:Bu çalışmada 160-400 ºK sıcaklık aralığında Au/Si3N4/n-Si (MIS) Schottky diyotunun akım-voltaj (I-V) karakteristiklerini araştırıldı. Termiyonik emisyon (TE) teorisi kullanılarak, doğru beslem I-V karakteristikleri MIS Schottky diyot parametrelerinin elde etmek için analiz edildi. TE mekanizmasına dayalı olarak yarı-logaritmik lnI-V karakteristikleri, sıcaklık artışıyla birlikte idealite faktöründe (n) bir düşüş ve sıfır beslem engel yüksekliğinde (ΦBo) bir artış gösterdi. n'nin ve ΦBo'ın değerleri sırasıyla 9,50 ve 0,34 eV den (160 ºK'da) 3,43 ve 0,74 eV'ye (400 ºK'de) değişti. Arayüzey durumlarının enerji dağılımının sıcaklığa bağlılığı (Nss) beslem bağımlılığı efektif engel yüksekliği (Φe) hesaba katılarak doğru beslem I-V ölçümleri elde edildi. Ayrıca, ΦBo-q/2kT grafiğinden ortalama engel yüksekliği (ΦBo) ve standart sapma (σο) değerleri sırasıyla 0,999 eV ve 0,137 V olarak elde edildi. Böylece, modifiye edilen [ln(Io/T2)-q2σo 2/2k2T2]- q/kT grafiğinden B0 Φ ve Richardson sabiti (A*) değerleri sırasıyla, 0,992 eV ve 108,228 Acm-2K-2 olarak elde edildi.