Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2025
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Erkan HEKİN
Danışman: Yunus Özen
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:
Bu tez çalışmasında, GaN/AlInN/AlN yüksek elektron hareketine sahip transistör (HEMT) yapı örnekleri “Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme Yöntemi (MOCVD)” kullanılarak Al2O3 üzerinde büyütüldü. Büyütülen örneklerin yapısal mozik kusurları “Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınım (HRXRD)” cihazı ile incelendi. Eğim açısı, yanal ve dikey mozaik kristal boyut, vida ve kenar dislokasyon yoğunlukları In değerine bağlı olarak Wiliamson Hall (WH) metodu kullanılarak saptandı. Değişik In oranlarında kusurlar artan veya azalan eğilimler sergiledi. Büyütülen tabakaların uygun sıcaklıkta uygun büyütme oranına ulaştığı gözlemlendi. Örneklerin yüzey morfolojisi atomik kuvvet mikroskopisi (AFM) yöntemi ile optik karakteristik özellikleri Raman Spektroskobisi ve Fotoluminesans (PL) ölçme tekniği ile gerçekleştirildi. Örnekler için epitaksiyel tabakaların kristal kalitesinin B, A ve C örneğine göre düştüğü görüldü.
Anahtar Kelimeler : GaN/AlInN/AlN/Safir HEMT, XRD, yapı kusurları, noktasal kusurlar, zorlama, gerilme