Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2015
Öğrenci: BUKET AKIN
Danışman: ŞEMSETTİN ALTINDAL
Özet:Au/ZnO/n-GaAs Schottky engel diyotları (SBDs) hazırlandı ve onların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj-frekans (C-V-f) ve kondüktans-voltaj- frekans (G/ω-V-f) ölçümleri kullanılarak oda sıcaklığında incelendi. Diyotun ters doyum akımı (Io), idealite faktörü (n) ve sıfır-beslem engel yüksekliği (ФBo) gibi temel elektriksel parametreleri sırasıyla 4,03x10-8 A, 3,75 ve 0,47 eV olarak bulundu. Arayüzey durumlarının (Nss) enerjiye bağlı dağılımı, hem etkin engel yüksekliğinin hem de n'nin voltaja bağlı değerleri dikkate alınarak doğru beslem I-V verilerinden elde edildi. Frekansa bağlı C-V ve G/ω-V karakteristikleri ise 0,5 kHz-500 kHz aralığında incelendi. Nicollian ve Brews metodu kullanılarak elde edilen Rs değerlerinin artan frekans ile azaldığı gözlendi. Bu değerler Norde, Cheung ve Ohm metodları kullanılarak elde edilenlerle uyum içinde olduğu gözlendi. Engel yüksekliği (ФB), verici katkı atomlarının yoğunluğu (ND) ve tüketim tabakası genişliği (WD) frekansın fonksiyonu olarak 1/C2-V eğrilerinden elde edildi. Ayrıca, hem Nss hem de onların yaşama süreleri admittans spektroskopi metodu kullanılarak frekansa bağlı elde edildi.