InAlN/GaN Temelli Yuksek Elektron Mobiliteli Transistörlerin (HEMT) Elektron ve Magneto Iletim Ozellikleri

TUNAY TAŞLI P., LİŞESİVDİN S. B., KASAP M., ÖZÇELİK S., ÖZBAY E.

ADIM Physics Congress II, Denizli, Türkiye, 25 - 27 Nisan 2012, ss.65

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Denizli
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.65
  • Gazi Üniversitesi Adresli: Evet