The Effect of In Situ Si3N4 Passivation on Hot Electron energy Relaxation Rates in AlGaN GaN Heterostructures

---

Atmaca G., Malin T., Kutlu E., Ardalı Ş., Narin P., Mansurov V., ...Daha Fazla

10th All-Russian Conference Gallium, aluminum and indium nitrides, 23 - 25 Mart 2015, (Özet Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
• Gazi Üniversitesi Adresli: Evet