The Effect of In Situ Si3N4 Passivation on Hot Electron energy Relaxation Rates in AlGaN GaN Heterostructures

Atmaca G., Malin T., Kutlu E., Ardalı Ş., Narin P., Mansurov V., ...Daha Fazla

10th All-Russian Conference Gallium, aluminum and indium nitrides, 23 - 25 Mart 2015

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Gazi Üniversitesi Adresli: Evet