The Effect of Si3N4 Passivation with As Impurity on the Device Properties of AlGaN GaN HEMT Structures

---

Atmaca G., Narin P., Kutlu E., LİŞESİVDİN S. B.

IX. Uluslararası Balkan Fizik Birliği Konferansı, 24 - 27 Ağustos 2015

• Yayın Türü: Bildiri
• Gazi Üniversitesi Adresli: Evet